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电子元器件详细资料 » IC[16994] » DMG4932LSD-13
型号:DMG4932LSD-13类别:FET - 阵列制造商:Diodes Inc
封装:8-SOIC(0.236",6.00mm 宽)描述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8

详细参数

类别FET - 阵列
描述MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8
系列SiMFET
制造商Diodes Inc
FET型2 个 N 沟道(双)
FET特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V
电流_连续漏极(Id)0a025000C9.5A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C15 毫欧 @ 9A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2222.4V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs42nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds1932pF @ 15V
功率_最大1.19W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.236",6.00mm 宽)
供应商设备封装8-SO
包装带卷 (TR)

供应商

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深圳市芯脉实业有限公司骆0755-84507209
深圳市华雄半导体(集团)有限公司王0512-67241533
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深圳市格雷迪电子有限公司林先生15914072177
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